«Ангстрем»: трехстороннее российско-японско-китайское соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов
Соглашение предусматривает постановку на АО «Ангстрем» производства транзисторов по новой для него, запатентованной, технологии SiC. Её использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может, даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.
Подробнее
